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MEMS製程 指導教授:徐祥禎 老師 助教:許峰瑞
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目錄 I.光罩製作 II.光阻 III.清洗晶圓(晶片) IV.光阻塗佈 V.軟烤 VI.曝光 VII.曝後烤 VIII.顯影 IX.硬烤
X.PDMS
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I.光罩製作 視選用光阻 正光阻-曝到的會不見 負光阻-曝到的會留著 單位統一並標示 標示最小線寬 圖形不得有交錯
在製作光罩之前要先考慮到所要製作的圖形,其次是要考慮所選用的光阻類型 正光阻-曝光後鍵結軟化,負光阻-曝光後鍵結變強 圖形單位需統一並標示最小線寬,圖形不得交錯
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II.光阻 正光阻(S1818)-曝光後,光阻分解或軟化 負光阻(SU8-35)-曝光後,光阻分子間鍵結變強
光組分為正光阻與負光阻 正光阻(S1818)-曝光後,光阻分解或軟化 負光阻(SU8-35)-曝光後,光阻分子間鍵結變強
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III.清洗晶圓(晶片) 沙拉脫清洗 沖洗丙酮 沖洗異丙醇 沖洗純水 吹乾 加熱去水 冷卻
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IV.光阻塗佈 選用適當承載座 選用光阻 設定步驟、轉速與時間 抽真空 滴光阻 蓋上上蓋 光阻塗佈
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V.軟烤 使用加熱板加熱 曝光前的預烤 減少光阻中溶劑含量 回火效果 使光阻平坦
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VI.曝光 上光罩 上晶圓(晶片) 設定曝光時間、光罩與晶圓(晶片)間距 對位(視情況) 曝光(還沒結婚的請迴避)
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VII.曝後烤 使用加熱板加熱 降低光阻中溶劑含量 增加附著 使光阻硬化
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VIII.顯影 調配顯影液 顯影(視情況使用超音波震盪機) 沖洗丙酮 沖洗異丙醇 沖洗純水 吹乾 硬烤
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IX.硬烤 使用加熱板加熱 降低光阻中溶劑含量 增加附著 增加對酸的抵抗 使邊緣平坦化 減少缺陷孔隙
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X.PDMS 調配矽膠 矽膠10:硬化劑1 以晶圓與負光阻(SU8)當作母模 倒入矽膠 抽真空去氣泡 加熱硬化
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謝謝大家的聆聽 敬請提問
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