Journal of Semiconductors 半导体学报 金瑞琴 2016.8.26 http://www.jos.ac.cn 82304277/4311 jos@semi.ac.cn JournalOfSemicond
目录 1 学报介绍 2 编辑出版 3 欢迎投稿和引用
学报历史 1980 创刊 季刊 2008 Journal of Semiconductors 1989 月刊 1982 双月刊 1994 中英文 2009 英文刊
2009：合作出版
学报介绍 主管单位：中国科学院 主办单位：中国科学院半导体研究所 中国电子学会 我所主办的唯一期刊！
学报栏目 半导体物理 半导体材料 半导体器件 半导体集成电路 半导体工艺 我国唯一全面报道半导体领域研究成果的学术期刊！
历任主编 王守武院士 1980—2014 李树深院士 2014—至今
学报介绍 学报是有历史渊源的期刊！
2016：组建第12届编委会 1位常务副主编（王志明教授） 8位副主编，其中3位分别来自美国、澳 大利亚、加拿大 8位副主编，其中3位分别来自美国、澳 大利亚、加拿大 114位编委，其中33位海外编委，来自美 国、英国、德国、韩国、日本等国
所内副主编 李传波研究员 吴南健研究员
所内编委 成步文 李晋闽 李京波 刘峰奇 刘力源 骆军委 沈国震 谭平恒 王晓亮 薛春来 赵德刚
编辑部成员 4311 4277 4277 denghj@semi.ac.cn wanglin@semi.ac.cn rqjin@semi.ac.cn 邓航军 编辑部主任 录用证明、 版权转让协议、 清样校对 王琳 催审、 稿件处理情况查询、版面费、 样刊领取 金瑞琴 投稿咨询、 稿件提前发表、 申诉、 撤稿
收录情况 国内：中国科学引文数据库（CSCD）、 中国期刊全文数据库（CNKI）、中国科技 论文与引文数据库（CSTPCD）等 国外：ESCI、SCOPUS、CA、SA、AJ等 2016年，学报被ESCI收录！
国际舞台展示 第33届国际半导体物理大会
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评审制度 初审：编辑部 外审：审稿专家 终审：编委 0审稿费 48小时送审，同时送3个审稿专家 审稿周期：~ 2个月 出版周期： ~ 6个月
申述制度 作者如果对审稿意见有异议，可以书面说明 理由，向编辑部申述 编辑部将邀请编委或副主编进行核审
编辑加工制度 编辑加工、英文润色 排版 3次校对、1次核红
每期刊登1-2篇邀请综述 通信作者 文章题目 发表年份 卷 期 页码 陈弘达 2016 37 1 011001 任天令 2 021001 Advances and prospects in visible light communications 2016 37 1 011001 任天令 Surface acoustic wave devices for sensor applications 2 021001 顾书林 High-quality ZnO growth, doping, and polarization effect 3 031001 Fabrication techniques and applications of flexible graphene-based electronic devices 4 041001 李京波 Recent advances in optoelectronic properties and applications of two-dimensional metal chalcogenides 5 051001 李晋闽 Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes 6 061001 池保勇 CMOS mm-wave transceivers for Gbps wireless communication 7 071001 成步文 Research progress of Si-based germanium materials and devices 8 081001 沈国震 Photodetectors based on two dimensional materials 9 091001
有机无机杂化钙钛矿材料具有优异和独特的光电性能，近年来发展迅速，已经实现22.1%的太阳能电池效率 组织专刊1：钙钛矿太阳能电池 有机无机杂化钙钛矿材料具有优异和独特的光电性能，近年来发展迅速，已经实现22.1%的太阳能电池效率 典型电池结构
敬请关注、引用！ 将于2016年第11期或第12期出版 序号 作者 作者单位 1 陈时友 华东师范大学 2 赵一新 上海交通大学 3 周欢萍 北京大学 4 朱嘉 南京大学 5 范斌 厦门惟华 6 李美成 华北电力大学 7 崔光磊 中国科学院青岛能源所 8 朱瑞 9 刘永胜 南开大学 10 游经碧 中国科学院半导体研究所 游经碧，研究员 中国科学院半导体研究所 《半导体学报》客座编辑 敬请关注、引用！
将于2017年第1期或第2期出版！ 组织专刊2：二维材料与器件 由石墨烯, 单层BN和单层MOS2构成的异质结 高性能二维材料光电器件 李京波，研究员 中国科学院半导体研究所 《半导体学报》客座编辑 王欣然，教授 南京大学 《半导体学报》客座编辑 将于2017年第1期或第2期出版！ 高性能二维材料光电器件
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毕业相关，近水楼台： 欢迎大家投稿！
投稿：https://mc03.manuscriptcentral.com/jos-iop
请注意：正确引用！ 请这样引用：Cheng Buwen, Li Cheng, Liu Zhi and Xue Chunlai. Research progress of Si-based germanium materials and devices[J]. Journal of Semiconductors, 2016, 37(8): 081001 或这样引用：Cheng B W, Li C, Liu Z and Xue C L. Research progress of Si-based germanium materials and devices[J]. J. Semicond., 2016, 37(8): 081001
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