IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 26, NO. 3, MARCH 2005 High-Performance Poly-Si TFTs Fabricated by Implant-to-Silicide Technique IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 26, NO. 3, MARCH 2005 陳宜琳

What is ITS (Implant To Silicide)： S/D的摻雜是利用離子佈植的方式，形成ultra short shallow S/D extension (SDE)。而由此形成的TFT，稱之為FSD TFT (Fully silicided S/D TFT)。 Why we use ITS： 為了要整合週邊驅動電路在同一塊玻璃基板上，我們需要高 比值(TFT device more and more smaller)。ITS技術，其製程簡單，且在約600 ， 快速形成ultra short shallow SDE，此ultra short shallow SDE能降低短通道效應及降低寄生電阻。

FSD TFT by ITS： 優點： 因為極淺的S/D→較好的短通道特性，但阻值高 。 因為極短的S/D→有效減低寄生電阻 。 製程簡單，植入後的回火處理(利用RTA)時間 較短，且摻雜物的擴散速度快→產量高。 因為做S/D的佈植時，不會損害Poly-Si layer即表面defect較少→接面漏電流較小(Qot少)。 因為使用RTA回火→Thermal Budget較低。

FSD TFT 與 conventional Poly-Si TFT(CN TFT)比較 Implant annealing RTA 高溫爐 回火溫度及時間 600度、時間短 600度、時間長 產量 高 低 Thermal budget 短通道特性 較佳 較差

FSD TFT process： Step 1：dep. a-Si for 45 nm at 550 using LPCVD. Substrate Step 2：the a-Si layer was recrystallized by SPC at 600 for 24h in then etching. Poly-Si Substrate

Poly-Si gate Step 3：a 45 nm CVD gate oxide and a-Si layer 100 nm were deposited then etching. Gate oxide Poly-Si Substrate Step 4：dep. a 100 nm CVD oxide layer and anisotropically etched to form a sidewall spacer abutting the poly-Si gate. Poly-Si gate Gate oxide Poly-Si Substrate Sidewall spacer (oxide)

Step 5：dep. a thin Ni layer 22 nm by RTA at 500 for 40s to form the FSD and wet etching (SPM→ 3:1). Substrate Poly-Si Gate oxide Poly-Si gate Ni-silicide Step 6：implant P ions at 30 KeV. P ions were diffused out of silicide to form an ultrashort SDE by a low-temperature RTA at 600 for 30s in . (P原子在Ni silicide中的溶解度很低，其擴散及堆積在silicide表面形成SDE ) Substrate Poly-Si Gate oxide Poly-Si gate Ni-silicide SDE Substrate Poly-Si Gate oxide Poly-Si gate Ni-silicide P ions

(Transfer characteristics) (Device characteristics) 特性： (Transfer characteristics) 線性區 = 0.1V 飽和區 = 5V (Device characteristics) 特性均變較佳

(Out characteristics) (The width-normalized ON resistance) 下圖顯示(線性區)，在閘極加不同的偏壓，描繪每一條曲線，最後會交集在同一點，即為 。下圖為FSD TFT。CN TFT亦使用同樣方式可求得 為20k 。 (Out characteristics) 上圖顯示，FSD比CN有較大的driving current，尤其是在越大的閘極偏壓下；因為越大的閘極偏壓，其通道的電阻值越小。 (The width-normalized ON resistance)

(短通道效應- roll off)

結論 利用ITS方法製作的TFT性質比CN TFT還要好。最大好處在於ultra short shallow S/D extension結構，使擁有較好的短通道特性及低的寄生電阻；而且製程簡單(成本低)、快速(產量高)、並且短時間的製程(回火時間短，熱預算即小)。