E-mail : ytcheng@mail.nctu.edu.tw 半 導 體 實驗 鄭裕庭 工程四館 640室 E-mail : ytcheng@mail.nctu.edu.tw

課程內容 教室課十單元 History of Nano Facility Center (NFC) and Semiconductor Lab. Clean room environment &Safety issues Process Integration Clean process Oxidation process Lithography process Etch process Doping process Deposition process MOS capacitor and P-N junction measurement 實作兩種基本元件 MOS capacitor P-N junction

參考書目 Course notes and supplemental literature. Reference Books： Http://mil.ee.nctu.edu.tw ftp://140.113.238.146 (download), 帳號/密碼 : semiconductor/student Reference Books： Hong Xiao, “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology”, 2000, Prentice Hall. J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, “Silicon VLSI Technology-Fundamentals, Practice and Modeling”, 2000, Prentice Hall. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology”, 2nd Ed., 2002, J. Wiley & Sons Inc. Semiconductor International Solid State Technology 半導體科技雜誌

分組方式 六人一組，請找修課類似的同學，以便安排實作時間。 推舉小組長一名，並在下列七個實作時段至少選出兩個可接受的時段。 週一到週五的18:30-21:30。 週一和週五的15:30-18:30。 除第一次實作需要6-8小時外，每次實作約3小時可完成。 將小組名單、小組長聯絡資料、選出的時段，寄給大助教王冠宇學長h063910333@yahoo.com.tw。請在3/6之前完成。 助教根據各組可接受時段進行協調，排定實際實作時間，並認領組別。3/11公佈結果。

成績考核 期末考40分 實作表現20分 期末報告40分 教室課1-10單元。 考試日期103.01.15。 由各組助教評定，不遲到早退為15分。 實作期間102.09.17-103.01.03。 期末報告40分 一人一份，不限頁數，格式不拘。 內容必須包含製程條件、事件紀錄、結果討論。 繳交期限104.06.20: 17:00。

MOS Capacitor Process Flow Starting material : p-type (100)-Si wafer Initial clean (2 hr) Gate oxidation 10nm – dry oxidation (1.5 hr) Al gate deposition – sputter (2 hr) Al gate lithography (1.5 hr) Al gate etch – wet (1 hr) backside clean (1 hr) Backside Al deposition – sputter (2 hr) Electrical measurement

P-N Junction Process Flow - 1 Starting material : p-type (100)-Si wafer Initial clean (2 hr) Field oxidation 500nm – wet oxidation (2 hr) N+ region lithography (1.5 hr) N+ region etch – wet (1 hr) POCl3 doping (2 hr) de-glass & clean (1 hr) Native oxide etch (0.5 hr) Al deposition – sputter (2 hr)

P-N Junction Process Flow - 2 Al lithography (1 hr) Al etch – wet (1 hr) Backside clean (1 hr) Backside Al deposition – sputter (2 hr) Electrical measurement

晶片規劃 MOS Capacitor P-N Junction 自行保管自己的試片，助教會提供容器，每次實作課請帶至實驗室。 3片4吋完整片，正面鍍鋁之後各分為四片，一人一個1/4片，另兩片備用。 P-N Junction 4片4吋完整片，長Field Oxide之後，其中三片各分為四小片，一人一個1/4片，另兩個1/4片以及一片完整片跟隨製程備用。 自行保管自己的試片，助教會提供容器，每次實作課請帶至實驗室。 遺失或未攜帶試片，第一次扣學期總分5分，第二次扣10分，第三次扣20分並不予補發。