组会报告 王玲 2014-6-17.

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组会报告 王玲 2014-6-17

OUTLINE 温度对氧化物TFT的影响 近期工作进展 -栅介质中电荷的影响

温度对氧化物TFT的影响 已有文献报道

温度 SS,Ioff变大,Vth变小—trapped electron发射

定性分析 ΔVth(Qfix) ns(vs) ΔVth Nempty NT Jn(PF) Φt Field S(x) location

定性分析 Qfix由ns,界面附近的Nempty中的较小值决定 Nempty很充足(NT较大,JPF较大),ΔVth由ns决定, 饱和值ΔVths=Vgs Nempty较难充足:只有界面附近的trap才有效;俘获电子后,电场变小,trap与界面距离变远,即有效的Nempty变小,结果是: ΔVths<Vgs 启发:通过电荷的分布是否可以调节电场,进而调节Vth漂移

数值仿真-栅介质固定电荷的影响 Stress Recovery 器件结构 不同应力阶段电场 不同NT,同一时间电场 同样ΔVth,不同电荷分布电场 界面电荷 Recovery 浮置和零偏的差异 电荷分布的影响 器件结构

数值仿真 不同应力阶段电场变化(1e18,0,5,10,15nm)

数值仿真 不同NT,同一时间电场(0,1e18,1e17,x1=5nm)

数值仿真 同样ΔVth,不同电荷分布电场 X1=5nm,Nt=1e18;x1=10nm,Nt=5e17,x1=15nm,Nt=3.33e17

数值仿真-recovery Vg浮置

数值仿真-recovery Vg 0V/float