MOS场效应管工作原理 及特性曲线(1) 西电丝绸之路云课堂 孙肖子.

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第九章 版图设计实 例. 主要内容 1. CMOS 门电路 2. CMOS RAM 单元及阵列 3. CMOS D 触发器 4. CMOS 放大器 5. 双极集成电路.
第三章 场效应管放大器 3.1 场效应管 3.2 场效应管放大电路 绝缘栅场效应管 结型场效应管 效应管放大器的静态偏置
第四章 场效应管放大电路 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管: 结型 N沟道 P沟道 MOS型 增强型 耗尽型.
第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件
通用变频器应用技术 四川机电职业技术学院 电子电气工程系 学习情境 1-学习性工作任务1.
第4章 电力电子器件 学习目标 1. 掌握GT0、GTR、电力MOSFET、IGBT四种常见全控型电力电子器件的工作原理、特性、主要参数、驱动电路及使用中应注意的问题。 2. 熟悉常见全控型电力电子器件各自特点以及适用场合。 3. 了解新型电力电子器件的概况。 全控器件:能控制其导通,又能控制其关断的器件称为全控器件,也称为自关断器件。和普通晶闸管相比,在多种应用场合控制灵活、电路简单、能耗小,使电力电子技术的应用范围大为拓宽。
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焊接技术 电子电路的焊接、组装与调试在电子工程技术中占有重要位置。任何一个电子产品都是由设计→焊接→组装→调试形成的,而焊接是保证电子产品质量和可靠性的最基本环节,调试则是保证电子产品正常工作的最关键环节。
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第八章 光电式传感器 电子信息及电气工程系.
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第七章 免疫学方法及其应用.
主要内容: 1.场效应管放大器 2.多级放大器的偶合方式 3.组容耦合多级放大器 4.运算放大器电路基础
7.2 其他放大电路 共集电极放大电 共基极放大电 多级放大电路 场效应管放大电路.
电力电子变流技术 第 二十七 讲 主讲教师:隋振                学时:32.
第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管.
第二章 门电路 本章重点及要求: 1、理解半导体二极管和三极管的开关特性;2、掌握分立元件组成的“与、或、非”门电路;3、理解TTL集成门电路和CMOS集成门电路;4、掌握集成门电路的逻辑功能和正确使用方法。5、理解TTL与非门的电压传输特性、输入输出特性等参数。 § 2—1 概述 一、逻辑门电路 门电路----能完成基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。
马克思主义基本原理概论 第三章 人类社会及其发展规律.
第六章 : 場效電晶體 Boylestad and Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory Copyright ©2006 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey
第2章 简单电阻电路分析 2. 1 电阻 2. 2 电源 2. 3 MOSFET 2. 4 基尔霍夫定律 2. 5 电路的等效变换
第10章 常用半导体器件 本章主要内容 本章主要介绍半导体二极管、半导体三极管和半导体场效晶体管的基本结构、工作原理和主要特征,为后面将要讨论的放大电路、逻辑电路等内容打下基础 。
第五章 常用半导体器件 第一节 PN结及其单向导电性 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 第五节 场效应晶体管
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實驗七 電晶體BJT特性 實驗目的 學習量測並描繪電晶體的集極特性曲線。 學習使用萬用電表測量電晶體的hFE值及判斷電晶體的腳位。
實驗十三 接面場效電晶體特性(JFET) 實驗目的 學習量測並描繪接面場效電晶體(JFET)的汲極特性曲線。
第六章 模拟集成单元电路.
第三章 晶体管及其小信号放大(1).
第八章 場效應電晶體 8-1 FET的簡介 8-2 JFET的特性 8-3 MOSFET的特性 8-4 FET偏壓電路
媒质 4.1 半导体物理基础 导体:对电信号有良好的导通性,如绝大多数金属,电解液,以及电离气体。
金屬_半導體接觸理論 場效電晶體FET.
第四章 场效应管放大电路 2017年4月7日.
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第 10 章 基本放大电路 10.1 共发射极放大电路的组成 10.2 共发射极放大电路的分析 10.3 静态工作点的稳定
第二章 基本放大电路 2.1放大电路概述 2.2基本放大电路的工作原理 2.3图解分析法 2.4微变等效电路分析法 2.5静态工作点稳定电路
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第七章 場效電晶體的偏壓 1.
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第五章 金属-氧化物-半导体 (MOS)场效应管
第三章 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管的特点
第三章 场效应管放大器 结型场效应管(JFET) 绝缘栅型场效应管(MOSFET) JFET的结构和工作原理 JFET的特性曲线
實習一 共源極放大器實驗 實習二 共汲極放大器實驗 實習三 共閘極放大器實驗
2、晶闸管的耐压能力 1)PNPN结构的反向转折电压 反向电流方程 反向转折条件 反向耐压能力
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MOS场效应管工作原理 及特性曲线(1) 西电丝绸之路云课堂 孙肖子

绝缘栅场效应管(IGFET) 绝缘栅场效应管的结构、类型及符号 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor),故又简称为MOSFET。导电沟道平行于表面。且栅极与沟道是绝缘的,栅极电流为零 iG=0。

MOS管类型及符号

N沟道增强型MOS管 一. 栅源电压UGS对导电沟道的控制作用(UDS = 0) 衬底与源极相连, 沟道与衬底有PN 结隔离,无纵向电 流! UGS >0,产生向下电场。排斥空穴,吸引电子, 在表面形成反型层, UGS增大,反型层扩大,直至将两个N区连通,形成了导电沟道,该电压称为开启电压UGSth。 UGS >UGSth 沟道随UGS增大均匀展宽。 可见,UGS大于开启电压后,对沟道的控制作用与JFET相同, 即可使沟道均匀地变宽变窄。

二. 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS>UGSth) UDS≥0,漏端UGD降低,电场减弱。沟道不均匀变窄而倾斜。 UDS增大到 UDS=UGS-UGSth 沟道被预夹断。随后UDS增大 沟道基本不变。 可见,UDS对导电沟道的控制作用,也与JFET相同,即可使沟道不均匀地变窄,直到予夹断为止。

MOS场效应管工作原理及特性曲线(1) 谢谢收看和听讲, 欢迎下次再相见! <<西电丝路云课堂>>