MOS场效应管工作原理 及特性曲线(1) 西电丝绸之路云课堂 孙肖子
绝缘栅场效应管(IGFET) 绝缘栅场效应管的结构、类型及符号 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor),故又简称为MOSFET。导电沟道平行于表面。且栅极与沟道是绝缘的,栅极电流为零 iG=0。
MOS管类型及符号
N沟道增强型MOS管 一. 栅源电压UGS对导电沟道的控制作用(UDS = 0) 衬底与源极相连, 沟道与衬底有PN 结隔离,无纵向电 流! UGS >0,产生向下电场。排斥空穴,吸引电子, 在表面形成反型层, UGS增大,反型层扩大,直至将两个N区连通,形成了导电沟道,该电压称为开启电压UGSth。 UGS >UGSth 沟道随UGS增大均匀展宽。 可见,UGS大于开启电压后,对沟道的控制作用与JFET相同, 即可使沟道均匀地变宽变窄。
二. 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS>UGSth) UDS≥0,漏端UGD降低,电场减弱。沟道不均匀变窄而倾斜。 UDS增大到 UDS=UGS-UGSth 沟道被预夹断。随后UDS增大 沟道基本不变。 可见,UDS对导电沟道的控制作用,也与JFET相同,即可使沟道不均匀地变窄,直到予夹断为止。
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