组会报告 毕小斌 05/19/2013
CAAC (c-axis aligned crystal)IGZO It has c-axis alignment like a single crystal, but its a-b plane has a mosaic pattern and no grain boundaries. The CAAC differs from a polycrystal, which generally has a, b, and c axes oriented at random and with clear grain boundaries.
CAAC IGZO TFTs have high reliability and low off-state leakage current at the yA/μm (10-24A/μm) level
IMO
IMO薄膜结构研究计划 薄膜制备条件： 靶材IMO 2#靶 基底烘烤温度300℃，RF溅射功率（分4组）：300W，350W，400W，450W；(使IMO薄膜结晶) 溅射时间：15min；Ar：O2=50:0，测量膜厚。 制备后再将薄膜在350℃，N2下1h退火。 配合薄膜测试所需准备基片： 光学性能测量：2in圆片，每个条件各1个 1cm*1cm小玻璃片，每个条件各2个，测量薄膜电性和XRD 3cm*3cm小硅片，每个条件各1个，测量薄膜SEM表面形貌和TEM表面及断面结构
Li掺杂IMO（Li-IMO）薄膜特性研究 在前期研究结果基础上，我们认为Li掺杂将提高IMO薄膜的载流子浓度和迁移率，从而提高TFT迁移率。此外，由于Li的低电负性（0.98），远远低于Mg，In，Ga和Zn的电负性（分别为1.31，1.78，1.81和1.65），Li掺杂将进一步提高IMO薄膜的氧空位形成能，而提高TFT的可靠性。因此，我们拟开展以下研究： 薄膜制备条件： 靶材Li-IMO靶（Li在In2MgO4的比例为10 at%） 基底烘烤温度300℃，RF溅射功率（分4组，作4个不同条件样品）：300W，350W，400W，450W； 溅射时间：每个样品均为15min，Ar：O2=50:0，测量膜厚。制备后再将薄膜在350℃，N2下1h退火。 配合薄膜测试所需准备基片： 光学性能测量：2in圆片，每个条件各1个；再测量薄膜方块电阻，计算电阻率 1cm*1cm小玻璃片，每个条件各2个，测量薄膜载流子浓度和迁移率，和晶相（XRD） 3cm*3cm小硅片，每个条件各1个，测量薄膜表面形貌和断面结构（SEM和TEM）