應用Sol-gel法進行氧化物半導體製作研究 亞洲大學 資訊工程學系 學生:王楷富 洪登偉 蘇煥鈞 何映融 指導教授:陳兆南教授 葉榮輝教授 摘要 我們以成本較低的溶膠凝膠法（sol-gel）進行氧化物半導體製作，主要優點有原料純度高、均勻性良好、成份可以控制的精確、沉積速率快、可使用塗佈於大面積且複雜的基板上等，且可以在常溫下進行製備，加上設備簡單，不需真空系統。本實驗調配了不同濃度的AZO（氧化鋅鋁）及改變退火時的溫度，嘗試以不同濃度和溫度來改變薄膜的特性，我們量測穿透率、載子移動率、電阻率、載子濃度和薄膜厚度等特性，以找出較佳的製作條件。 實驗流程圖 表(一)未通氣體之實驗結果 表(二)通氮氣之實驗結果 表(三) AZO薄膜製備參數 表(四) AZO薄膜穿透率 圖(一)Ａ溶液退火500及550℃透明導電薄膜之穿透率曲線圖 圖(二)C溶液525度薄膜(SEM) 圖(三) A溶液550度薄膜(SEM) 結論 本實驗使用三種不同Al濃度溶液，藉由改變退火溫度500℃、525℃、550℃。製作AZO透明導電薄膜後經由儀器的測量發現，A溶液的特性最佳。A溶液製成的AZO透明導電薄膜，穿透率在500℃、550℃可以高達90%以上，超過了TCO的平均透光度80%，其中500℃的透光度又比550℃高。