顶栅IGZO TFT 迟世鹏 2014/01/06.

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1 顶栅IGZO TFT 迟世鹏 2014/01/06

2 主要内容 文献报告 顶栅IGZO TFT的性能：氧分压的影响 实验计划

3 文献报告 1、BCE结构的IGZO TFT 在IGZO的基础上掺入新的元素制备出 新氧化物，可以不被PAN腐蚀，通过
(a) BCE-type TFTs (b) PAN wet-etching rate of Mo, IGZO, new oxide semiconductor thin film. 在IGZO的基础上掺入新的元素制备出 新氧化物，可以不被PAN腐蚀，通过 腐蚀S/D电极实现BCE结构。 Mototaka Ochi, High Reliability of Back Channel Etch-type TFTs using New Oxide Semiconducting Material, IDW’13, pp

4 文献报告 2、Sol-gel IGZO TFT a b c IGZO(1:1:1:X) Layers TFT’s
Transfer curves for different Device dimensions. The output curves for multi stacking IGZO layers TFTs, (A) 3 layers (B) 4 layers (C) 5 layers. Wang Yu Wu, The Study on Sol-Gel IGZO Thin Film Transistors with Top Polymer Gate Insulators , IDW’13, pp

5 氧分压对IGZO TFT性能的影响 Ti：DCMS 200W, Ar, 工作气压0.37Pa, 厚度50nm, 剥离形成源/漏电极图形;
IGZO：DCMS 120W, Ar/O2可调, 工作气压0.5Pa, 厚度40nm, 光刻-湿法腐蚀形成有源区图形; SiO2：PECVD 30W,:200nm, 温度300℃, RIE 干刻法开源/漏孔; ITO：DCMS 60W, Ar, 工作气压0.5Pa, 厚度50nm,剥离形成栅极图形.

6 氧分压对IGZO TFT性能的影响 VDS (V) Vth (V) S(V/dec) ueff (cm2/Vs) Ion/Ioff 0.1
a. 转移特性 b. 输出特性 VDS (V) Vth (V) S(V/dec) ueff (cm2/Vs) Ion/Ioff 0.1 7 0.91 3.8 3.7e-6 10.1 5.5 0.81 3.5 4.9e-8 Ar:O2=48:2，IGZO TFT的(a) 转移特性，(b) 输出特性

7 氧分压对IGZO TFT性能的影响 Ar:O2分别为45:5/40:10/35:15时的转移特性曲线

8 实验计划 制作IGZO厚度不同的TFT 利用阳极氧化制备Al2O3，制作顶栅IGZO TFT