1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

2.（）奈米線為一維奈米材料

2.（ ○ ）奈米線為一維奈米材料

3.（）本實驗奈米線合成的材料為何

3.（ZnO）本實驗奈米線合成的材料為何

4.（）本實驗合成奈米線的溫度

4.（500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度

5.（）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

5.（2）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

6.（）本實驗合成奈米線的機制

6.（VLS,VS）本實驗合成奈米線的機制

7.（）VLS為何

7.（氣相-液相-固相）VLS為何

8.（）VS為何

8.（氣相-固相）VS為何

9.（）本實驗合成奈米線的觸媒為何

9.（金）本實驗合成奈米線的觸媒為何

10.（）本實驗合成奈米線使用的基板為何

10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何

11.（）ZnO奈米線的晶體結構

11.（HCP）ZnO奈米線的晶體結構

12.（）ZnO為半導體材料

12.（ ○ ）ZnO為半導體材料

13.（）ZnO為寬能隙半導體

13.（ ○ ）ZnO為寬能隙半導體

14.（）ZnO為功能性氧化物

14.（ ○ ）ZnO為功能性氧化物

15.（）HCP的APF為何

15.（0.74）HCP的APF為何

16.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

16.（ ○ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

17.（）ZnO為P-Type

17.（ ○ ）ZnO為P-Type

18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央

18.（ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央

19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g

19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g

20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料

20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料

21.（）奈米線具有高比表面積

21.（○）奈米線具有高比表面積

22.（）奈米線易於應用感測元件

22.（ ○ ）奈米線易於應用感測元件

23.（）奈米線易於應用雷測元件

23.（○）奈米線易於應用雷測元件

24.（） SEM 全名

24.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名

25.（） TEM全名

25.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名

26.（） SEM 試片製作需鍍金

26.（○） SEM 試片製作需鍍金

27.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪

27.（ ○ ）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪

28.（）超音波震盪使用時間為20分

28.（×）超音波震盪使用時間為20分

29.（）如何判定是VLS或VS

29.（有無鍍金）如何判定是VLS或VS

30.（）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

30.（ ○ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

31.（）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測

31.（ ○ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測

32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測

32.（○）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測

33.（） UV稱為紫外光

33.（ ○ ） UV稱為紫外光

34.（）分析場發射特性時需抽真空

34.（○）分析場發射特性時需抽真空

35.（）50 Torr 稱為低真空

35.（○）50 Torr 稱為低真空

36.（） 10-2 Torr 稱為低真空

36.（×） 10-2 Torr 稱為低真空

37.（） 10-5 Torr 稱為高真空

37.（○） 10-5 Torr 稱為高真空

38.（）抽真空時需先開渦輪幫浦

38.（ × ）抽真空時需先開渦輪幫浦

39.（）分析場發射特性時需量測極限值

39.（ ○ ）分析場發射特性時需量測極限值

40.（）分析場發射特性時起始電壓越低越好

40.（ ○ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好

41.（）V＝E × L

41.（○）V＝E × L

42.（）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好

42.（ × ）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好

43.（）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

43.（×）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

44. （）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3. 37 eV（2） 4. 37 eV （3） 5 44.（）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37 eV （3） 5.37 eV （4） 3.27 eV

44. （1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3. 37 eV（2） 4. 37eV（3） 5 44.（1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37eV（3） 5.37 eV （4） 3.27 eV

45.（）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K

45.（1）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K

46.（）氧化鋅可應用於太陽能電池

46.（ ○ ）氧化鋅可應用於太陽能電池

47.（）何為 Solar cells

47.（太陽能電池）何為 Solar cells

48.（）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

48.（ ○ ）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

49.（）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

49.（○）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

50.（） SFLS稱為超臨界流體-液-固

50.（○） SFLS稱為超臨界流體-液-固