記憶體的概況 109 - 26 - 張登凱
記憶體之新舊 DDR(Double Date Rate memory) 最早出現且存在最久 目前最常見的記憶體 DDR3(Double Date Rate 3 memory) 最新且最快的新型態記憶體
記憶體之耗電量比較 DDR(Double Date Rate memory) 運作時需電力為2.5伏特 三種記憶體中耗電力最多的 DDR2(Double Date Rate 2 memory) 運作時需電力為1.8伏特 消耗電力位在中間範圍 DDR3(Double Date Rate 3 memory) 運作時需1.5伏特電力 三者中最低
記憶體之速率比較 DDR(Double Date Rate memory) DDR2(Double Date Rate 2 memory) 整體速率三者之末 DDR2(Double Date Rate 2 memory) 整體速率位在三者之中 DDR3(Double Date Rate 3 memory) 整體速率最快 ※比較： 最慢的DDR2記憶體與最快的DDR差不多 最慢的DDR3與最快的DDR2速度差不多
JEDEC制訂的DDR、DDR2與DDR3記憶體標準規格 記憶體之標準規格 JEDEC制訂的DDR、DDR2與DDR3記憶體標準規格 DDR DDR2 DDR3 資料傳輸速度 200-400 400-800 800-1600 電壓 2.5V +/- 0.1V 1.8V +/- 0.1V 1.5V +/- 0.075V 內部Bank數 4 8 Termination Limited All DQ signals 封裝技術 TSOP TSOP or Fly-by Fly-by 驅動控制器 無 OCD校準 ZQ自動校準 熱感應器 有 Fly-by有時也稱為FBGA(fine-pitch ball grid array的縮寫) TSOP是“thin small-outline package” OCD則是off-chip driver circuitry ZQ指的是結合一種內置式、針對晶片本身做校準的RZQ電阻
記憶體之運作方式