3.1 双极晶体管的基础 1、双极型晶体管的结构 由两个相距很近的pn结组成： 另一侧称为集电区和集电极， 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用C或c表示（Collector）。 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 双极型晶体管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:npn型和pnp型 c-b间的pn结称为集电结(Jc) e-b间的pn结称为发射结(Je) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 两种极性的双极型晶体管 2019/2/22
双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。
2、偏压与工作状态 定义电压参考方向： PNP 管： NPN管： 根据两个结上电压的正负，晶体管可有 4 种工作状态： E 结 ＋ － C 结 － ＋ 工 作 状 态 放大状态，用于模拟电路 饱和状态，用于数字电路 截止状态，用于数字电路 倒向放大状态
3、少子分布与能带图 p n p 放大状态： p n p 饱和状态： 截止状态： p n p p 倒向放大状态： p n nPC0 nPE0 pPB0 p n p 饱和状态： nPC0 nPE0 pPB0 截止状态： p n p nPC0 nPE0 pPB0 p 倒向放大状态： p n nPC0 nPE0 pPB0
4、NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图： NPN 晶体管在平衡状态下的能带图： N P N EC EF EV
NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图： 放大状态： 饱和状态： 截止状态： 倒向放大状态：