MEMS製程 指導教授:徐祥禎 老師 助教:許峰瑞
目錄 I.光罩製作 II.光阻 III.清洗晶圓(晶片) IV.光阻塗佈 V.軟烤 VI.曝光 VII.曝後烤 VIII.顯影 IX.硬烤 X.PDMS
I.光罩製作 視選用光阻 正光阻-曝到的會不見 負光阻-曝到的會留著 單位統一並標示 標示最小線寬 圖形不得有交錯 在製作光罩之前要先考慮到所要製作的圖形,其次是要考慮所選用的光阻類型 正光阻-曝光後鍵結軟化,負光阻-曝光後鍵結變強 圖形單位需統一並標示最小線寬,圖形不得交錯
II.光阻 正光阻(S1818)-曝光後,光阻分解或軟化 負光阻(SU8-35)-曝光後,光阻分子間鍵結變強 光組分為正光阻與負光阻 正光阻(S1818)-曝光後,光阻分解或軟化 負光阻(SU8-35)-曝光後,光阻分子間鍵結變強
III.清洗晶圓(晶片) 沙拉脫清洗 沖洗丙酮 沖洗異丙醇 沖洗純水 吹乾 加熱去水 冷卻
IV.光阻塗佈 選用適當承載座 選用光阻 設定步驟、轉速與時間 抽真空 滴光阻 蓋上上蓋 光阻塗佈
V.軟烤 使用加熱板加熱 曝光前的預烤 減少光阻中溶劑含量 回火效果 使光阻平坦
VI.曝光 上光罩 上晶圓(晶片) 設定曝光時間、光罩與晶圓(晶片)間距 對位(視情況) 曝光(還沒結婚的請迴避)
VII.曝後烤 使用加熱板加熱 降低光阻中溶劑含量 增加附著 使光阻硬化
VIII.顯影 調配顯影液 顯影(視情況使用超音波震盪機) 沖洗丙酮 沖洗異丙醇 沖洗純水 吹乾 硬烤
IX.硬烤 使用加熱板加熱 降低光阻中溶劑含量 增加附著 增加對酸的抵抗 使邊緣平坦化 減少缺陷孔隙
X.PDMS 調配矽膠 矽膠10:硬化劑1 以晶圓與負光阻(SU8)當作母模 倒入矽膠 抽真空去氣泡 加熱硬化
謝謝大家的聆聽 敬請提問