標準製程 垂直爐管.

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人體酸性化, 現代人的 “ 百病之源 ”. 醫學專家警告: 人體的酸性化是 “ 百病之源 ”!! 健康人的血液是呈弱鹼性的,大概 pH 值是 7.35 到 7.45 之間,一般初生嬰兒也都屬弱鹼性體液 ,但隨著體外環境污染及不正常生活及飲食習 慣,使我們的體質逐漸轉為酸性。據一項都市 人群健康調查發現,在生活水平較高的大城市.
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“ 你不僅要關心自己的盤子裝的是什麼食物,而 且更要關心每種食物的最佳進食時間! ” 這是英 國劍橋大學營養專家提出的最新健康飲食法則! 這是因為,食物也有自己的 “ 生物鐘 ” , 只有遵 從它,你才能吃得更健康和苗條! 如果去吃自助餐,你會怎麼做呢?先吃魚肉大 菜,吃到差不多再吃蔬菜、主食,然後喝湯、
五年級上學期的自然課,當我們上到水溶液單元時,老師指導我們石蕊試紙可以測試水溶液的酸鹼性,藍色石蕊試紙遇鹼性 水溶液不變色,遇酸性水溶液時變紅色;而紅色石蕊試紙遇鹼性水溶液變藍色,遇酸性水溶液時不變色。 可是,滴入醋水溶液的藍色石蕊試紙變紅色的部分竟然消失不見了,紅色石蕊試紙應該不變色卻出現藍紫色,怎麼會這樣呢?
茶叶基本知识 徐南眉. 中国是茶树的原产地,中国古代劳动人民 最早发现了茶、利用了茶,世界上其他国 家是从中国引入了茶树和制茶、饮茶的方 法,茶是中国古代劳动人民奉献给世界人 民的健康饮料。茶从最初的药用到饮用, 从煎煮饮用到现代沏茶品茶经历了漫长的 历史发展过程。在世界的东方,茶不但是 饮料,还包含着丰富的精神文化内容。
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防腐剂、矫味剂、着色剂. 同学们仔细看看双黄连口服液、甘草合剂等液体制剂说明 书中【成分】一项包括那些? 2 .大家想想芬达葡萄糖汽水配料中都有什么? 说明书中是不是经常会看到蔗糖、糖精钠、 苯甲酸钠、柠檬黄、羟苯乙酯等物质的出 现。这些东西到底是起什么作用的了?大 部分液体药剂的溶剂多用水,以水为溶剂.
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前言 大量使用能源雖提升人類的物質文明,卻也造成了始料未及的禍害---酸雨。 右圖所見是亞洲地區的酸雨量, 可想而知全世界的酸雨量是多麼的嚴重,所以我們希望藉著這份報告,加強人們保護地球的意識,藉此減少酸雨的危害,令人們不會再被酸雨威脅。
第二节 干制原料的涨发工艺 一、干制原料涨发的概念 二、干制原料涨发的工艺流程 三、干制原料的涨发方法 四、干制原料涨发的基本要求.
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§8.3 化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积 —— Chemical Vapor Deposition,缩写为:CVD;
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半導體原理及應用 (II) 陳志方 國立成功大學 電機工程學系 1/15/06.
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第12章 化学汽相沉积( CVD) 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通过气相物质的化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的一种工艺方法。 CVD的基本步骤与PVD不同的是:沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 CVD的实现必须提供气化反应物,这些物质在室温下可以是气态、液态或固态,通过加热等方式使它们气化后导入反应室。
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第二章 咖啡豆處理方法 咖啡豆處理流程 咖啡豆精製 咖啡豆炒焙.
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標準製程 垂直爐管

Tube1_Dry Oxide Description: Dry Oxide是以APCVD的方式成長,通入純氧跟矽基板反應形成SiO2,薄膜成長速度慢,適合用於成長較薄的氧化層。 反應氣體: 反應溫度:800-900 ℃ Application: Gate Oxide、犧牲氧化層、Pad Oxide。

Tube1_Wet Oxide Description: Wet Oxide是以APCVD的方式成長,用氫氧點火的方式產生水氣,水氣再跟矽基板反應形成SiO2,適合用於成長較厚的氧化層。 反應氣體: 反應溫度:900-1000 ℃ Application: 適合用於 MOSFETs 的場氧化層(Field Oxide)製程。 2O2 + H2  2H2O Si + H2O  SiO2 + 2H2

T2_N+ Poly-Si Description: N+ Poly-Si是以LPCVD的方式沈積,適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 摻雜PH3,經回火後,阻值降低。 反應氣體:SiH4、PH3 沈積溫度:550 ℃ 沈積壓力:600 mtorr Application: 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。

Tube2_Poly-Si Description: Poly-Si是以水平爐管LPCVD的方式沈積,適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 並未摻雜,阻值高,一般會以離子佈植做摻雜,加溫回火(Anneal),使阻值降低。 反應氣體: 沈積溫度:623 ℃ 沈積壓力:200 mtorr Application: 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4  Si + 2H2

Tube2_α-Si Description: α-Si是以LPCVD的方式沈積,適用於 MOSFETs的閘極製程。此α-Si並未摻雜,阻值高,一般會以離子佈植做摻雜,加溫回火(Anneal),使阻值降低。 反應氣體: 沈積溫度:550 ℃ 沈積壓力:200 mtorr Application: 適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4  Si + 2H2