SEMICONDUCTOR PHYSICS & DEVICES 半導體元件物理
參考書籍： S.M.Sze (施敏) ………………教科書 SEMICONDUCTOR DEVICES Physics and Technology 2nd Edition Donald A. Neamen SEMICONDUCTOR PHYSICS & DEVICES BASIC PRINCIPLES Hong Xiao Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology 莊達人編著 VLSI製造技術 （五版修訂）
評分標準 期中考，期末考各佔 30% 作業：20％ 報告：20％
課程大綱 第一章 簡介 第二章 熱平衡時的能帶及載子濃度 第三章 載子傳輸現象 第四章 正 – 負接面 第六章 金氧半場效電晶體及其相關元件 第七章 金半場效電晶體及其相關元件 第十章 晶體成長及磊晶 第十一章 薄膜形成 第十二章 微影與蝕刻 第十三章 雜質摻雜 第十四章 積體元件
Chap1 Introduction 1.1 Semiconductor Devices(半導體元件） 全球國民生產總值 GWP的20% 1998年 電子工業的20%
元件的基礎結構 pn接面 金屬-半導體界面 金屬-氧化層-半導體結構 異質半導體接面
金屬半導體界面-整流型接觸、歐姆接觸（最早，1874年） 應用： MESFET(金屬半導體電晶體) 閘極—整流型接觸 汲極及源極---歐姆接觸 pn接面 （半導體元件物理的基礎） 兩個pn接面可形成雙載子電晶體（BJT） 三個pn接面可形成閘流體（thyristor)（一種切換元件switching device)
金氧半結構—即金屬氧化層界面+氧化層半導體界面 異質半導體界面 可製作高速元件及光電元件 例：GaAs和AlAs可形成異質接面 金氧半結構—即金屬氧化層界面+氧化層半導體界面 應用： 金氧半結構形成閘極 兩個pn接面形成汲極與源極 形成MOSFET
1.1.2 主要的半導體元件 （發光二極體） 太陽電池 穿隧二極體 雷射 轉移電子二極體 衝渡二極體
主要的半導體元件(續） 非揮發性半導體記憶體 電荷耦合元件 共振穿隧二極體 調變摻雜場效電晶體 室溫單電子記憶胞 兩端點元件
第一個電晶體
第一個金氧半場效電晶體 Gate length: 25m Gate oxide: 100nm
NVSM（非揮發性半導體記憶體）：電源關掉後，仍保有所儲存的訊息 浮停閘：可半永久貯存電荷 將浮停閘縮至極小，只可貯存一個電子
關鍵半導體技術
第一個積體電路
第一個微處理器
Figure 1.8. Exponential increase of dynamic random access memory density versus year based on the Semiconductor Industry Association (SIA) roadmap.49
Figure 1.9. Exponential increase of microprocessor computational power versus year.
Figure 1.10. Growth curves for different technology drivers.50