顶栅IGZO TFT 迟世鹏 2014/01/06
主要内容 文献报告 顶栅IGZO TFT的性能:氧分压的影响 实验计划
文献报告 1、BCE结构的IGZO TFT 在IGZO的基础上掺入新的元素制备出 新氧化物,可以不被PAN腐蚀,通过 (a) BCE-type TFTs (b) PAN wet-etching rate of Mo, IGZO, new oxide semiconductor thin film. 在IGZO的基础上掺入新的元素制备出 新氧化物,可以不被PAN腐蚀,通过 腐蚀S/D电极实现BCE结构。 Mototaka Ochi, High Reliability of Back Channel Etch-type TFTs using New Oxide Semiconducting Material, IDW’13, pp 368-371.
文献报告 2、Sol-gel IGZO TFT a b c IGZO(1:1:1:X) Layers TFT’s Transfer curves for different Device dimensions. The output curves for multi stacking IGZO layers TFTs, (A) 3 layers (B) 4 layers (C) 5 layers. Wang Yu Wu, The Study on Sol-Gel IGZO Thin Film Transistors with Top Polymer Gate Insulators , IDW’13, pp. 372-375.
氧分压对IGZO TFT性能的影响 Ti:DCMS 200W, Ar, 工作气压0.37Pa, 厚度50nm, 剥离形成源/漏电极图形; IGZO:DCMS 120W, Ar/O2可调, 工作气压0.5Pa, 厚度40nm, 光刻-湿法腐蚀形成有源区图形; SiO2:PECVD 30W,:200nm, 温度300℃, RIE 干刻法开源/漏孔; ITO:DCMS 60W, Ar, 工作气压0.5Pa, 厚度50nm,剥离形成栅极图形.
氧分压对IGZO TFT性能的影响 VDS (V) Vth (V) S(V/dec) ueff (cm2/Vs) Ion/Ioff 0.1 a. 转移特性 b. 输出特性 VDS (V) Vth (V) S(V/dec) ueff (cm2/Vs) Ion/Ioff 0.1 7 0.91 3.8 3.7e-6 10.1 5.5 0.81 3.5 4.9e-8 Ar:O2=48:2,IGZO TFT的(a) 转移特性,(b) 输出特性
氧分压对IGZO TFT性能的影响 Ar:O2分别为45:5/40:10/35:15时的转移特性曲线
实验计划 制作IGZO厚度不同的TFT 利用阳极氧化制备Al2O3,制作顶栅IGZO TFT